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MU3400T
1个N沟道 耐压:30V 电流:5A
- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.7A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：19mΩ
- 品牌名称
- MP(美禄科技)
- 商品型号
- MU3400T
- 商品编号
- C34373739
- 商品封装
- SOT23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0345克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7nC | |
| 输入电容(Ciss) | 665pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 43pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 52pF |
商品特性
- 30V、5.0A
- 当VGS = 10V时,RDS(ON)(典型值)= 28mΩ
- 当VGS = 4.5V时,RDS(ON)(典型值)= 30mΩ
- 当VGS = 2.5V时,RDS(ON)(典型值)= 35mΩ
- 先进沟槽技术
- 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
- 无铅
- SOT - 23
应用领域
- 负载开关
- PWM应用
- 电源管理