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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 46W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.247nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 220pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 264pF |
商品特性
- 30V、90A,RDS(ON)(典型值)= 3.4 mΩ(VGS = 10 V 时)
- 无铅
- 先进沟槽技术
- 出色的 RDS(ON) 和低栅极电荷
应用领域
- 负载开关
- PWM 应用
- 电源管理