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MU3010D实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MU3010D

1个N沟道 耐压:30V 电流:80A

描述
类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):39mΩ
品牌名称
MP(美禄科技)
商品型号
MU3010D
商品编号
C34373748
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.402克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)80A
导通电阻(RDS(on))6mΩ@10V
耗散功率(Pd)50W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)34nC@10V
输入电容(Ciss)1.788nF
反向传输电容(Crss)180pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)225pF

商品特性

  • 30V、80A,RDS(ON)(典型值) = 4.2 mΩ(VGS = 10 V时)
  • 无铅
  • 先进的沟槽技术
  • 出色的RDS(ON)和低栅极电荷

应用领域

  • 负载开关
  • PWM应用
  • 电源管理

数据手册PDF