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MU2302T实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MU2302T

1个N沟道 耐压:20V 电流:4A

描述
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):5.7A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):19mΩ
品牌名称
MP(美禄科技)
商品型号
MU2302T
商品编号
C34373743
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.0335克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)4A
导通电阻(RDS(on))28mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)1.2W
阈值电压(Vgs(th))1V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)6nC
输入电容(Ciss)445pF
反向传输电容(Crss)55pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)64pF

商品特性

  • 20V、4.0A
  • 漏源导通电阻 RDS(ON)= 22 mΩ,栅源电压 [VGS] = 4.5V
  • 漏源导通电阻 RDS(ON)= 26 mΩ,栅源电压 [VGS] = 2.5V
  • 先进沟槽技术
  • 出色的漏源导通电阻和低栅极电荷
  • 无铅
  • SOT - 23封装

应用领域

  • 负载开关
  • 脉冲宽度调制(PWM)应用
  • 电源管理

数据手册PDF