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MU2N7002T
1个N沟道 耐压:60V 电流:320mA
- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：0.32A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3000mΩ
- 品牌名称
- MP(美禄科技)
- 商品型号
- MU2N7002T
- 商品编号
- C34373742
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 320mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.7nC@0V | |
| 输入电容(Ciss) | 28pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 11pF |
商品特性
- 60V、0.32A,VGS = 10V 时 RDS(ON)(典型值) = 1.7Ω
- 关断状态下漏电流极低
- 静电放电(ESD)保护达 2KV 人体模型(HBM)
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 直接逻辑电平接口 TTL/CMOS