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MJQ30N65实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MJQ30N65

1个N沟道 耐压:655V 电流:30A

描述
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):1200V 连续漏极电流(Id):4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.9Ω
品牌名称
MP(美禄科技)
商品型号
MJQ30N65
商品编号
C34373731
商品封装
TO-247-3L​
包装方式
管装
商品毛重
7.728333克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)655V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on))110mΩ@10V
耗散功率(Pd)277.8W
阈值电压(Vgs(th))4.2V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)52nC@10V
输入电容(Ciss)2.497nF
反向传输电容(Crss)6.75pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)239pF

商品特性

  • 650V、30A,VGS = 10 V 时,RDS(ON)(典型值)= 0.095 Ω
  • 先进的超结技术
  • 易于控制栅极开关
  • 增强模式:VGS(th) = 2.8 至 4.2 V

应用领域

  • 不间断电源(UPS)
  • 电动汽车充电
  • 太阳能逆变器
  • 服务器电源、电信电源

数据手册PDF