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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MJQ47N65F

1个N沟道 耐压:655V 电流:47A

描述
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):1200V 连续漏极电流(Id):4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.9Ω
品牌名称
MP(美禄科技)
商品型号
MJQ47N65F
商品编号
C34373732
商品封装
TO-247​
包装方式
管装
商品毛重
7.726667克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)655V
连续漏极电流(Id)47A
导通电阻(RDS(on))95mΩ@10V
耗散功率(Pd)391W
阈值电压(Vgs(th))5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)85nC@10V
输入电容(Ciss)4.799nF
反向传输电容(Crss)4.6pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
输出电容(Coss)482pF

商品特性

  • 650V、47A,RDS(ON)(典型值)= 82 mΩ(VGS = 10 V 时)
  • 先进超结技术
  • 栅极开关易于控制
  • 增强型:VGS(th) = 3 至 5 V

应用领域

  • 电动汽车充电、不间断电源应用
  • 太阳能逆变器、服务器电源、电信电源
  • 升压功率因数校正(PFC)开关、半桥或不对称半桥或串联谐振半桥及全桥拓扑结构

数据手册PDF