温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MPF04N70
1个N沟道 耐压:700V 电流:4A
- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：7A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.15Ω
- 品牌名称
- MP(美禄科技)
- 商品型号
- MPF04N70
- 商品编号
- C34373720
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.478克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 606pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 48pF |
商品概述
该功率MOSFET采用先进的平面VDMOS技术制造。由此制成的器件具有低导通电阻、卓越的开关性能和高雪崩能量。
商品特性
- VDSS = 500 V
- ID = 5 A
- RDS(ON) = 1.6 Ω
- 低RDS(ON)
- 低栅极电荷（典型值Q_g = 12.8 nC）
- 100%进行UIS测试
- 符合RoHS标准