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MJD11N65
1个N沟道 耐压:650V 电流:11A
- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：7A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.15Ω
- 品牌名称
- MP(美禄科技)
- 商品型号
- MJD11N65
- 商品编号
- C34373726
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.413克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 350mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.2V@2250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 901pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 59pF |
商品特性
- 60V、0.32A，VGS = 10V 时 RDS(ON)（典型值） = 1.7Ω
- 关断状态下漏电流极低
- 静电放电（ESD）保护达 2KV 人体模型（HBM）
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 直接逻辑电平接口 TTL/CMOS