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MPF06N90
1个N沟道 耐压:900V 电流:9A
- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：7A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.15Ω
- 品牌名称
- MP(美禄科技)
- 商品型号
- MPF06N90
- 商品编号
- C34373724
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.674克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 33W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.435nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.2pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
该功率MOSFET采用先进的平面VDMOS技术制造。由此生产的器件具有低导通电阻、卓越的开关性能和高雪崩能量。
商品特性
- 功率因数校正
- VDSS = 500 V
- ID = 5 A
- RDS(ON) = 2.4 mΩ
- LED驱动器