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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MPC07N80

1个N沟道 耐压:800V 电流:7A

描述
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):7A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.15Ω
品牌名称
MP(美禄科技)
商品型号
MPC07N80
商品编号
C34373723
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
2.68克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)800V
连续漏极电流(Id)7A
导通电阻(RDS(on))1.8Ω@10V
耗散功率(Pd)133W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)33.9nC@10V
输入电容(Ciss)1.443nF
反向传输电容(Crss)11.2pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

IRF3710STR是采用先进MOSFET技术制造的硅N沟道增强型MOSFET,可降低传导损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。该晶体管适用于开关模式电源(SMPS)、高速开关及通用应用。

商品特性

  • 800V、7A,RDS(ON)(典型值)= 1.4Ω@VGS = 10V
  • 低栅极电荷
  • 快速开关
  • 100%单脉冲雪崩能量测试
  • 低反向传输电容

应用领域

  • 适配器
  • LCD面板电源
  • 电动自行车充电器
  • 开关模式电源

数据手册PDF