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DMX0615E
超高阈值电压耗尽模式功率MOSFET 耐压:70V 电流:0.1A
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- 描述
- 耗尽型MOSFET
- 品牌名称
- ARK(方舟微)
- 商品型号
- DMX0615E
- 商品编号
- C3031405
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.13克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 70V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15Ω@0V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 20V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
HXY3416MI采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至2.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
-增强的ESD能力-耗尽型(常开)-专有先进平面技术-专有先进超高Vth技术-符合RoHS标准-可提供无卤产品
应用领域
- 快速充电(QC4.0)/Type C PD充电器或适配器
- 电流源
- 电压源