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DMX1072
1个N沟道 耐压:100V 电流:0.3A
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- 描述
- 耗尽型MOSFET_N-Channel_100V_0.4A_1.0W
- 品牌名称
- ARK(方舟微)
- 商品型号
- DMX1072
- 商品编号
- C3031409
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@0V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.3V@8uA | |
| 输入电容(Ciss) | 81.3pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 32.7pF |
商品特性
- VDS = 20 V， ID = 2.8 A
- 在VGS = 4.5 V时，RDS(导通) < 60 mΩ
- 在VGS = 2.5 V时，RDS(导通) < 100 mΩ
- 低栅极电荷
- 沟槽功率低压MOSFET技术