温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AP70N02NF
N沟道,电流:70A,耐压:20V
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP70N02NF
- 商品编号
- C3024517
- 商品封装
- PDFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.21克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 57W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 386pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 407pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
商品概述
AP70N02NF采用先进的沟槽技术,可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 20V,ID = 70A
- 当VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 5.5 mΩ(典型值:3.8 mΩ)
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源