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AP6N04SI
40V N-通道增强模式MOSFET
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- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP6N04SI
- 商品编号
- C3024535
- 商品封装
- SOT-89-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.18克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V,4A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.67W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 452pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AP8N10MI采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻、低栅极电荷，并能在低至5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- V D S = 40V,I D = 6A
- RDS(ON)< 40 m Ω(@ VGS=10 V )(典型值:28 m Ω )
应用领域
- 无线充电
- 升压驱动器
- LED