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AP3400MI-L
N沟道,电流:5.8A,耐压:30V
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- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP3400MI-L
- 商品编号
- C3024521
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@4.5V,3A | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 950mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 927pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 61pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AP60N02NF采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 30V,漏极电流ID = 5.8A
- 当栅源电压VGS = 4.5V时,导通电阻RDS(ON) < 35 mΩ(典型值:28 mΩ)
应用领域
- 负载开关
- 不间断电源