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AP20N03D-L

AP20N03D-L

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商品型号
AP20N03D-L
商品编号
C3024524
商品封装
TO-252-3L​
包装方式
编带
商品毛重
0.47克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)20A
导通电阻(RDS(on))25mΩ@10V
耗散功率(Pd)20.8W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)4.9nC@4.5V
属性参数值
输入电容(Ciss)216pF
反向传输电容(Crss)51pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)62pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品概述

AP20N03D采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

  • VDS = 30 V,ID = 20 A
  • 在VGS = 10 V时,RDS(ON) < 25 mΩ

应用领域

  • 电池保护
  • 负载开关
  • 不间断电源

数据手册PDF