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AP60N02DF实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AP60N02DF

20V N沟道增强型MOSFET

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商品型号
AP60N02DF
商品编号
C3024514
商品封装
PDFN-8L(3x3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.15克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)60A
导通电阻(RDS(on))6mΩ@4.5V,60A
耗散功率(Pd)37W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))700mV@250uA
栅极电荷量(Qg)23nC
输入电容(Ciss@Vds)1.832nF@10V
反向传输电容(Crss)271pF@10V
工作温度-55℃~+175℃

数据手册PDF

优惠活动

购买数量

(5000个/圆盘,最小起订量 5 个)
起订量:5 个5000个/圆盘

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