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AP70N02DF
20V N沟道增强型MOSFET
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- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP70N02DF
- 商品编号
- C3024516
- 商品封装
- PDFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@4.5V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 57W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 2.5nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 386pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
采用先进沟槽技术设计的N沟道SGT功率MOSFET。该器件具备出色的栅极电荷和导通电阻RDS(on)，可大幅降低开关和传导损耗。因此，它非常适用于DC/DC转换器，是高频开关和同步整流的理想选择。
商品特性
- 出色的栅极电荷与导通电阻RDS(on)乘积（品质因数FOM）
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 无铅引脚镀层
应用领域
- DC/DC转换器-适用于高频开关和同步整流