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AP20N02DF
20V N沟道增强型MOSFET
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- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP20N02DF
- 商品编号
- C3024510
- 商品封装
- PDFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 31W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.458nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 212pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 238pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
商品概述
AP20N02DF采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至 2.5V 的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- V D S = 20V
- I D = 20A
- R D S (O N) < 8.0 m Ω @ V G S = 10V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源