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APG60N10S
增强模式MOSFET,电流:60A,耐压:100V
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- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- APG60N10S
- 商品编号
- C3011378
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.24克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.55nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 305pF |
商品概述
APG60N10S采用先进的SGT MOSFET技术,具备低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计,具有更好的耐用性,适用于
商品特性
- 低导通电阻RDS(on)和品质因数FOM
- 极低的开关损耗
- 逆变器具有出色的稳定性和一致性
应用领域
-消费电子电源-电机控制-同步整流-隔离式直流-同步整流应用