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AP9N20Y实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AP9N20Y

200V,电流:9A,耐压:200V

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商品型号
AP9N20Y
商品编号
C3011393
商品封装
TO-251​
包装方式
管装
商品毛重
1.3克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)9A
导通电阻(RDS(on))230mΩ@10V,4.5A
耗散功率(Pd)74W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2V@250uA
栅极电荷量(Qg)23nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)684pF
反向传输电容(Crss)37pF@25V
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

AP200N15MP采用先进的APM-SGT技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至10V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

  • VDS = 200V,ID = 9A
  • 当VGS = 10V时,RDS(ON) < 300 mΩ(典型值:230 mΩ)

应用领域

  • 不间断电源(UPS)
  • 功率因数校正(PFC)

数据手册PDF