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AP18N20D-H
200V N沟道增强型MOSFET,电流:18A,耐压:200V
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- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP18N20D-H
- 商品编号
- C3011395
- 商品封装
- TO-252-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@10V,9A | |
| 耗散功率(Pd) | 104W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.318nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AP34N20P 是采用自对准平面技术制造的硅 N 沟道增强型 VDMOS 场效应晶体管，该技术可降低导通损耗、提高开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。
商品特性
- VDS = 200V,ID = 18A
- RDS(ON) < 0.15Ω@ VGS = 10V
应用领域
- 不间断电源(UPS)
- 功率因数校正(PFC)