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AP2N20MI
N沟道,电流:2A,耐压:200V
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- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP2N20MI
- 商品编号
- C3011390
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.8Ω@10V,2A | |
| 耗散功率(Pd) | 3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 580pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
APG60N10D采用先进的SGT MOSFET技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具备更高的耐用性，适用于
商品特性
- VDS = 200V,ID = 2A
- RDS(ON) < 1800mΩ@ VGS = 10V
应用领域
- LED 调光
- 应急灯