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AP5N20D-H
200V N沟道增强型MOSFET
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- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP5N20D-H
- 商品编号
- C3011391
- 商品封装
- TO-252-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.49克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 530mΩ@10V,2.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 46W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 228pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AP190N15P/T采用先进的APM-SGT技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至10V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 150V，ID = 190A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 7.5mΩ（典型值：6.6mΩ）
应用领域
- DC/DC转换器
- LED背光
- 电源管理开关