温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AP130N20MP
200V,电流:130A,耐压:200V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP130N20MP
- 商品编号
- C3011399
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 130A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@10V,45A | |
| 耗散功率(Pd) | 450W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 200nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 6.5nF@160V | |
| 反向传输电容(Crss) | 370pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AP6N40D 是硅 N 沟道增强型 VDMOSFET，采用自对准平面技术制造，可降低传导损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。
商品特性
- VDS = 400V，ID = 6A
- 当 VGS = 10V 时，RDS(ON) < 1.0Ω（典型值：0.8Ω）
应用领域
- 不间断电源（UPS）
- 功率因数校正（PFC）