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AP7N65F
650V, 7A, 650V N沟道 MOSFET
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- 描述
- AP7N65F/P 是硅 N 沟道增强型 VDMOS 场效应晶体管，采用自对准平面技术制造，该技术可降低传导损耗，改善开关性能。
- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP7N65F
- 商品编号
- C3011407
- 商品封装
- TO-220F-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 32.9W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 891pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
AP2305MI采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 650V,ID = 7A
- RDS(ON) < 1.2 Ω @ VGS = 10 V(典型值:1.0 Ω)
应用领域
- 不间断电源(UPS)
- 功率因数校正(PFC)