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AP90P01D
12V P沟道增强模式MOSFET,电流:90A,耐压:12V
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- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP90P01D
- 商品编号
- C3011414
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@4.5V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 225nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 726pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
AP90P01D采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 12 V,ID = 90 A
- RDS(ON)< 4.5 mΩ@ VGS=4.5 V(典型值:3.5 mΩ)
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源