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AP20P01BF
P沟道增强型MOSFET,电流:-20A,耐压:-18V
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- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP20P01BF
- 商品编号
- C3011412
- 商品封装
- DFN-6L(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 18V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.5nC@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 300pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 390pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
商品概述
AP20P01BF采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -18 V,漏极电流ID = -20 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时,导通电阻RDS(ON) < 18 mΩ(典型值:12 mΩ)
- 当栅源电压VGS = 4.5 V时,导通电阻RDS(ON) < 23 mΩ(典型值:14 mΩ)
应用领域
- 电子烟
- 负载开关