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AP60P02D
P沟道增强型MOSFET,电流:-60A,耐压:-20V
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- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP60P02D
- 商品编号
- C3011427
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.505克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 300pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 350pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
商品概述
AP60P02D采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -20V,漏极电流ID = -60A
- 当栅源电压VGS = -4.5V时,导通电阻RDS(ON) < 12 mΩ(典型值:8 mΩ)
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源