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AP60P03D
P沟道增强型MOSFET,电流:-60A,耐压:-30V
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- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP60P03D
- 商品编号
- C3011444
- 商品封装
- TO-252-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.49克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.215nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 237pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 310pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±25V |
商品概述
AP60P03D采用先进的沟槽技术,可提供出色的 R DS (ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- V DS = - 30V,I D = - 60A
- RDS(ON)< 13 m Ω(@ VGS=10 V)
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源