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AP8P04S
40V P沟道增强型MOSFET
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- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP8P04S
- 商品编号
- C3011450
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.24克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.415nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 102pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AP90P03NF采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V
- ID = -90A
- RDS(ON) < 6.5 mΩ @ VGS = -10V（典型值：4.9 mΩ）
应用领域
- 锂电池保护-无线冲击-手机快充