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AP3P06AI
P沟道增强型MOSFET,电流:3.3A,耐压:60V
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- 描述
- 采用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。适用于电池保护或其他开关应用。
- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP3P06AI
- 商品编号
- C3011458
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 185mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 531pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 38pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
AP3P06AI采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -60V,ID = -3A
- 在VGS = -10V时,RDS(ON) < -180mΩ
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源