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AP2307MI
P沟道增强型MOSFET,电流:7.1A,耐压:20V
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- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP2307MI
- 商品编号
- C3011421
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@4.5V,4A | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 3.192nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 262pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AP5N10BI采用先进的APM - SGTII技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并且能够在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -20V, ID = -7A
- RDS(ON)< -20 m Ω@ VGS=-4.5 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源