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APJ14N65F
650V N沟道增强模式MOSFET,电流:14A,耐压:650V
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- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- APJ14N65F
- 商品编号
- C3011408
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.27克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 650mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 25.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 438pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.32pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
AP20P02SI采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 650 V(典型值:730 V),IDM = 14 A
- RDS(ON) < 650 mΩ@ VGS = 10 V(典型值:560 mΩ)
应用领域
- 不间断电源(UPS)
- 功率因数校正(PFC)