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APG80N10NF实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

APG80N10NF

N沟道,电流:80A,耐压:100V

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商品型号
APG80N10NF
商品编号
C3011379
商品封装
DFN-8(4.9x5.8)​
包装方式
编带
商品毛重
0.25克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)80A
导通电阻(RDS(on))10.5mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)135W
阈值电压(Vgs(th))2.3V
栅极电荷量(Qg)45nC@10V
属性参数值
输入电容(Ciss)3.32nF
反向传输电容(Crss)20pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)605pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品概述

APG80N10NF采用先进的SGT MOSFET技术,可提供低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计,具备更高的耐用性。

商品特性

  • 低导通电阻RDS(ON)和品质因数FOM
  • 极低的开关损耗
  • 逆变器具有出色的稳定性和一致性

应用领域

  • 消费电子电源
  • 电机控制
  • 同步整流
  • 隔离式直流
  • 同步整流应用

数据手册PDF