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AP40N20P
200V N沟道 Enhancement Mode MOSFET
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- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP40N20P
- 商品编号
- C3011398
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.67克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@10V,14A | |
| 耗散功率(Pd) | 158W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 136nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 3.742nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 105pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AP9N20D是硅N沟道增强型VDMOS场效应晶体管，采用自对准平面技术制造，可降低传导损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。
商品特性
- VDS = 200V，ID = 9A
- RDS(ON) < 300 mΩ @ VGS = 10V（典型值：230 mΩ）
应用领域
- 不间断电源（UPS）
- 功率因数校正（PFC）