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AP10N15D
150V, 10A, N沟道增强型MOSFET
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- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP10N15D
- 商品编号
- C3011386
- 商品封装
- TO-252-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.49克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 280mΩ@10V,7A | |
| 耗散功率(Pd) | 30W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.6nC | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 550pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
APG60N10S采用先进的SGT MOSFET技术，具备低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具有更好的耐用性，适用于
商品特性
- VDS = 150V,ID = 10A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 280 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源