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AP200N15MP
N沟道,电流:200A,耐压:150V
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- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP200N15MP
- 商品编号
- C3011389
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.27克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 210W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.24nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
AP9N20D是采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型VDMOSFET，该技术可降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。
商品特性
- VDS = 200V ID = 9A
- RDS(ON) < 300 mΩ @ VGS = 10V（典型值：230 mΩ）
应用领域
- 不间断电源（UPS）
- 功率因数校正（PFC）