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AP30N02D

N沟道,电流:30A,耐压:20V

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商品型号
AP30N02D
商品编号
C3011248
商品封装
TO-252-3​
包装方式
编带
商品毛重
0.49克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on))15mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)20.8W
阈值电压(Vgs(th))1V
栅极电荷量(Qg)11.05nC@4.5V
属性参数值
输入电容(Ciss)888pF
反向传输电容(Crss)117pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)133pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品概述

AP30N02D采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

  • 漏源电压VDS = 20V,漏极电流ID = 30A
  • 当栅源电压VGS = 4.5V时,导通电阻RDS(ON) = 11 mΩ

应用领域

  • 太阳能路灯
  • 负载开关
  • 不间断电源

数据手册PDF