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NP100N03D6-N-G
N沟道 耐压:30V 电流:100A
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- 描述
- NP100N03D6采用了独特优化的沟槽技术，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和Qg组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流应用
- 品牌名称
- natlinear(南麟)
- 商品型号
- NP100N03D6-N-G
- 商品编号
- C2991148
- 商品封装
- PDFN-8(5x5.8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.13克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 78W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.028nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 208pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 353pF |
商品概述
NP20P03D6 G采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- VDS = -30 V，ID = -20 A
- RDS(ON)(典型值) = 16 mΩ @VGS~~- 10V
- RDS(ON)(典型值) = 21 mΩ @VGS~~- 4.5V
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装
- 工作温度150 °C
- 100%经过UIS测试
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 不间断电源