EG1615
EG1615
- 描述
- EG1615芯片是一款专用于双向逆变器(同一套电路可作逆变器功能,又可作电池充电器功能)中的DCTo DC逆变升压和电池充电管理的控制芯片,集成了两路600V半桥高压MOS驱动器,驱动器的输出电流能力为±2A,内置四路独立的逐周PWM关断保护,可有效防止在极端情况下过高的峰值电流而损坏MOS的情况,另外提供了两路SD,分别为SD1,和SD2,SD1是驱动器1 HO1和LO1的逐周关断引脚,SD2是驱动器2 HO2和LO2的逐周关断引脚,结合外部比较器和SD功能可实现过流或短路保护等功能。 EG1615主要的功能由两部分组成,第一部分为逆变升压控制,主要实现将电池的低压直流电压转换为高压直流电压,供后级DC/AC逆变所需的高压;第二部分为充电器降压控制,主要实现将市电经PFC升压后的高压直流电压转换为低压直流电压,供电池充电所需的恒压恒流充电。 EG1615采用了LC谐振型双有源桥(DAB)拓扑结构,能实现能量双向控制,结合PWM工作频率和LC谐振参数的匹配,可实现开关管的软开关控制,易于应用于高开关频率、高效率等场合。
- 品牌名称
- EG(屹晶微)
- 商品型号
- EG1615
- 商品编号
- C2987442
- 商品封装
- LQFP-64(10x10)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 3.195克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
EG1615芯片是一款专用于双向逆变器(同一套电路可作逆变器功能,又可作电池充电器功能)中的DCTo DC逆变升压和电池充电管理的控制芯片,集成了两路600V半桥高压MOS驱动器,驱动器的输出电流能力为±2A,内置四路独立的逐周PWM关断保护,可有效防止在极端情况下过高的峰值电流而损坏MOS的情况,另外提供了两路SD,分别为SD1,和SD2,SD1是驱动器1 HO1和LO1的逐周关断引脚,SD2是驱动器2 HO2和LO2的逐周关断引脚,结合外部比较器和SD功能可实现过流或短路保护等功能。 EG1615主要的功能由两部分组成,第一部分为逆变升压控制,主要实现将电池的低压直流电压转换为高压直流电压,供后级DC/AC逆变所需的高压;第二部分为充电器降压控制,主要实现将市电经PFC升压后的高压直流电压转换为低压直流电压,供电池充电所需的恒压恒流充电。 EG1615采用了LC谐振型双有源桥(DAB)拓扑结构,能实现能量双向控制,结合PWM工作频率和LC谐振参数的匹配,可实现开关管的软开关控制,易于应用于高开关频率、高效率等场合。 EG1615作逆变升压时,低压侧H桥的占空比为50%,高压侧H桥用MOS内部的体二极管做整流输出,电压反馈采用了浅闭环稳压模式(即空载最高电压限制,带载开环),有效防止空载时电压过高而导致烧器件等现象,谐振参数由外部的LC进行调整,芯片可支持的PWM的工作频率为40K - 150KHz,高压侧串入的电流互感器可用于输出短路保护。 EG1615作充电降压时,高压侧H桥的占空比为50%,低压侧H桥用MOS内部二极管做整流输出及MOS管自动跟踪同步整流功能,充电的恒压(CV)、恒流(CC)需EG8026中的PFC调压功能进行配合,高压侧串入的电流互感器可用于输出短路保护。
商品特性
- 采用LC谐振型双有源桥(DAB)拓扑结构,能实现软开关、高效率等特性
- 专用于双向逆变器中的DC TO DC部分,能实现逆变升压及充电管理等控制
- 集成了两路600V半桥高压MOS管驱动器,驱动能力为±2A,每路驱动器自带2路独立的MOS管峰值电流保护电路及内置200mV基准源的比较器供用户设定过流保护值
- 支持外部可调节的PWM频率,范围为40KHz - 150KHz,用于LC谐振时的调整需要
- 支持PWM软启动功能,软启动时间为500mS
- 50%占空比输出,支持死区时间可调分别为500nS,700nS,1uS,1.5uS
- 输出电压反馈采用欠闭环控制方式
- 高压母线电压过压保护
- 电池端过流保护和变压器高压端过流保护
- 电池端过压保护
- 电池端欠压保护
- 过温保护
- 智能风扇控制
- 固定50%占空比输出,易于实现谐振软开关控制
- 配合EG8026中的PFC调压功能,可实现充电部分的恒流(CC)和恒压(CV)等特性
- 支持充饱自动停充功能
- 支持UART串口通讯,波特率为9600
- 工作电源:+3.3V和+12V
- 封装形式:LQFP64
应用领域
- 双向正弦波逆变器
- 移动储能电源
- 光伏逆变器
- 不间断电源UPS
- 电池能量墙
优惠活动
购买数量
(1600个/托盘,最小起订量 1 个)总价金额:
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