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EG27517
高速低侧单通道驱动芯片
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- 描述
- EG27517单通道高速低侧栅极驱动器，可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管，绝缘栅双极型晶体管电源开关。为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及短的传播延迟。电源电压范围宽4V~20V，静态功耗小。
- 品牌名称
- EG(屹晶微)
- 商品型号
- EG27517
- 商品编号
- C2987449
- 商品封装
- SOT-23-5
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 低边 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 1 | |
| 灌电流(IOL) | 4A | |
| 拉电流(IOH) | 4A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 4V~20V | |
| 上升时间(tr) | 40ns | |
| 下降时间(tf) | 20ns | |
| 工作温度 | -45℃~+125℃ | |
| 输入低电平(VIL) | -300mV~1V | |
| 静态电流(Iq) | 10uA |
商品概述
EG27517单通道高速低侧栅极驱动器，可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管，绝缘栅双极型晶体管电源开关。为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及短的传播延迟。电源电压范围宽4V~20V，静态功耗小。该芯片双输入设计（可选择反相IN-或正相IN+驱动器配置），当VDD = 12V时，可提供峰值为4A的灌/拉（对称驱动）电流驱动能力；采用SOT23-5封装。
商品特性
- 低成本栅极驱动器器件提供NPN和PNP离散解决方案的高品质替代产品
- VDD电压范围4V - 20V
- 输出电流能力10±1 - 4A/4A
- 输入输出延时短
- 当输入引脚悬空时，输出保持在低电平
- 外围器件少
- 静态电流小，非常适合电池场合
- 封装形式：SOT23-5
- 无铅绿色环保，符合ROHS报告
应用领域
- 开关模式电源
- 直流 - 直流转换器
- 数字电源栅极驱动器件
- 太阳能、不间断电源 (UPS) 驱动变压器