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STU11N65M2
1个N沟道 耐压:650V 电流:7A
- 描述
- N沟道650 V、0.60 Ohm典型值、7 A MDmesh M2功率MOSFET，IPAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STU11N65M2
- 商品编号
- C2962730
- 商品封装
- IPAK
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.75克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 680mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 85W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 410pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 20pF |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最大程度降低导通电阻（RDS(on)），同时保持出色的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低RDS(ON)——确保导通损耗降至最低
- 小尺寸、热效率高的封装，可实现更高密度的终端产品
- 仅占用SO - 8封装33%的电路板面积，使终端产品更小
- 无铅涂层；符合RoHS标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
- 通过AEC - Q101标准认证，具备高可靠性
应用领域
- 背光照明
- DC - DC转换器
- 电源管理功能