CY7C1334-80AC

CY7C1334是一款3.3V、64K×32的同步流水线突发静态随机存取存储器（SRAM），专门设计用于支持无等待状态的无限连续读写操作。该芯片配备先进的无总线延迟（NoBL）逻辑，可在每个时钟周期传输数据，实现连续读写操作，显著提高SRAM的吞吐量，尤其适用于需要频繁写读转换的系统。它与ZBT SRAM MT55L64L32P引脚和功能兼容。所有同步输入通过由时钟上升沿控制的输入寄存器，所有数据输出通过由时钟上升沿控制的输出寄存器。时钟输入由时钟使能（CEN）信号限定，当CEN无效时，操作暂停并延长前一个时钟周期。从时钟上升沿开始的最大访问延迟为4.2 ns（133 MHz器件）。写操作由四个字节写选择（BWS[0 - 3]上划线）和写使能（WE）输入控制，所有写操作通过片上同步自定时写电路进行。三个同步片选使能（CE1上划线、CE2、CE3上划线）和一个异步输出使能（OE）便于进行存储体选择和输出三态控制。

• 引脚与ZBT™器件MT55L64L32P兼容，功能等效
• 支持133 MHz总线操作，零等待状态，每个时钟传输数据
• 内部自定时输出缓冲控制，无需使用OE
• 全寄存器（输入和输出）用于流水线操作
• 具备字节写入能力
• 64K×32通用输入输出架构
• 单3.3V电源供电
• 快速时钟到输出时间
• 4.2 ns（133 MHz器件）
• 5.0 ns（100 MHz器件）
• 7.0 ns（80 MHz器件）
• 10.0 ns（50 MHz器件）
• 时钟使能（CEN）引脚用于暂停操作
• 同步自定时写入
• 异步输出使能
• JEDEC标准100引脚TQFP封装
• 突发能力 — 线性或交错突发顺序
• 低（16.5 mW）待机功耗