CY7C1327B-100BGCT
CY7C1327B-100BGCT
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- 商品型号
- CY7C1327B-100BGCT
- 商品编号
- C2955610
- 商品封装
- BGA-119
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 4.5Mbit | |
| 工作电压 | 3.135V~3.6V | |
| 读写时间 | 5.5ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 工作电流 | 325mA | |
| 待机电流 | 10mA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
CY7C1327B是一款3.3V、256K×18的同步流水线缓存SRAM,旨在以最少的胶合逻辑支持零等待状态的二级缓存。CY7C1327B的I/O引脚可在2.5V或3.3V电平下工作。当VDDQ = 2.5V时,I/O引脚可承受3.3V电压。所有同步输入都通过由时钟上升沿控制的输入寄存器。所有数据输出都通过由时钟上升沿控制的输出寄存器。时钟上升沿后的最大访问延迟为3.5 ns(166-MHz器件)。CY7C1327B支持英特尔奔腾处理器使用的交错突发序列或PowerPC等处理器使用的线性突发序列。突发序列通过MODE引脚选择。访问可以通过在时钟上升沿断言处理器地址选通(ADSP)或控制器地址选通(ADSC)来启动。通过突发序列的地址推进由ADV输入控制。一个2位的片上循环突发计数器捕获突发序列中的第一个地址,并自动递增突发访问其余部分的地址。字节写操作由四个字节写选择(BW[1:0]上划线)输入限定。全局写使能(GW)覆盖所有字节写输入,并将数据写入所有四个字节。所有写操作都通过片上同步自定时写电路进行。三个同步芯片选择(CE1上划线、CE2、CE3上划线)和一个异步输出使能(OE)便于进行存储体选择和输出三态控制。为了在深度扩展期间提供正确的数据,当从未选中状态进入选中状态时,在读取周期的第一个时钟期间屏蔽OE。
商品特性
- 全寄存器输入和输出,用于流水线操作
- 256K x 18 共用I/O架构
- 3.3V核心电源供电
- 2.5V / 3.3V I/O操作
- 快速时钟到输出时间
- 3.5 ns(适用于166-MHz器件)
- 4.0 ns(适用于133-MHz器件)
- 5.5 ns(适用于100-MHz器件)
- 用户可选的突发计数器,支持交错或线性突发序列
- 独立的处理器和控制器地址选通
- 同步自定时写入
- 异步输出使能
- JEDEC标准100 TQFP引脚排列
- “ZZ”睡眠模式选项和停止时钟选项
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