CY7C1327A-133AC

赛普拉斯同步突发静态随机存取存储器（SRAM）系列采用高速、低功耗CMOS设计，运用先进的三层多晶硅、双层金属技术。每个存储单元由四个晶体管和两个高阻值电阻组成。CY7C1327A/GVT71256G18 SRAM集成了262,144x18 SRAM单元，具备先进的同步外围电路和一个2位计数器，用于内部突发操作。所有同步输入由正边沿触发的时钟输入（CLK）控制的寄存器选通。同步输入包括所有地址、所有数据输入、地址流水线片选（CE）、深度扩展片选（CE2和CE2）、突发控制输入（ADSC、ADSP和ADV）、写使能（WEL、WEH和BWE）和全局写（GW）。异步输入包括输出使能（OE）和突发模式控制（MODE）。由OE使能的数据输出（Q）也是异步的。地址和片选通过地址状态处理器（ADSP）或地址状态控制器（ADSC）输入引脚进行寄存。后续的突发地址可由突发推进引脚（ADV）控制在内部生成。地址、数据输入和写控制在片上寄存以启动自定时写周期。写周期的宽度可由写控制输入控制为1到4字节。单个字节写允许写入单个字节。WEL控制DQ1 - DQ8和DQP1，WEH控制DQ9 - DQ16和DQP2。只有当BWE为低电平时，WEL和WEH才能有效。GW为低电平时会写入所有字节。写直通功能允许写入的数据在下一个读周期立即在输出端可用。该器件还集成了流水线使能电路，便于深度扩展且不影响系统性能。CY7C1327A/GVT71256G18采用+3.3V电源供电，所有输出采用+2.5V电源供电。所有输入和输出均符合JEDEC标准JESD8 - 5。该器件非常适合486、奔腾、680x0和Power - PC系统，以及受益于宽同步数据总线的系统。

• 快速访问时间：3.5、3.8和4.0 ns
• 快速时钟速度：166、150、133和117 MHz
• 提供高性能3 - 1 - 1访问速率
• 快速OE访问时间：3.5 ns和3.8 ns
• 适合深度扩展（一个周期片选取消以消除总线争用）
• 3.3V -5%和+10%电源
• 2.5V或3.3V I/O电源
• 除I/O外5V容限输入
• 所有输入和输出端有到VSSQ的钳位二极管
• 公共数据输入和数据输出
• 字节写使能和全局写控制
• 三个片选用于深度扩展和地址流水线
• 地址、数据和控制寄存器
• 内部自定时写周期
• 突发控制引脚（交错或线性突发序列）
• 便携式应用的自动掉电功能
• 薄型119引脚、14mm×22mm BGA（球栅阵列）和100引脚TQFP封装

• 486系统
• 奔腾系统
• 680x0系统
• Power - PC系统
• 宽同步数据总线系统