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CY7C1325G-133BGXC实物图
  • CY7C1325G-133BGXC商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CY7C1325G-133BGXC

CY7C1325G-133BGXC

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商品型号
CY7C1325G-133BGXC
商品编号
C2955618
商品封装
BGA-119​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
接口类型并口(Parallel)
存储容量4Mbit
工作电压3.135V~3.6V
读写时间6.5ns
属性参数值
工作温度0℃~+70℃
工作电流225mA
待机电流40mA
功能特性自动掉电功能

商品概述

CY7C1325G是一款256K x 18同步缓存RAM,旨在以最少的胶合逻辑与高速微处理器接口。从时钟上升沿起的最大访问延迟为6.5 ns(133 MHz版本)。一个2位片上计数器捕获突发中的第一个地址,并在突发访问的其余部分自动递增地址。所有同步输入由正边沿触发的时钟输入(CLK)控制的寄存器选通。同步输入包括所有地址、所有数据输入、地址流水线片选(CE1上划线)、深度扩展片选(CE2和CE3上划线)、突发控制输入(ADSC、ADSP和ADV)、写使能(BW[A:B]上划线和BWE)以及全局写(GW)。异步输入包括输出使能(OE)和ZZ引脚。CY7C1325G允许通过MODE输入引脚选择交错或线性突发序列。高电平选择交错突发序列,低电平选择线性突发序列。突发访问可以通过处理器地址选通(ADSP)或缓存控制器地址选通(ADSC)输入启动。地址和片选在地址选通处理器(ADSP)或地址选通控制器(ADSC)激活时在时钟上升沿寄存。后续的突发地址可以由前进引脚(ADV)控制在内部生成。CY7C1325G由+3.3V核心电源供电,而所有输出可以由+2.5V或+3.3V电源供电。所有输入和输出都与JEDEC标准JESD8 - 5兼容。

商品特性

  • 256K x 18通用I/O
  • 3.3V核心电源(VDD)
  • 2.5V或3.3V I/O电源(VDDQ)
  • 快速时钟到输出时间 — 6.5 ns(133 MHz版本)
  • 提供高性能2 - 1 - 1访问速率
  • 用户可选的突发计数器,支持英特尔奔腾交错或线性突发序列
  • 独立的处理器和控制器地址选通
  • 同步自定时写入
  • 异步输出使能
  • 提供无铅100引脚TQFP封装、无铅和有铅119球BGA封装
  • “ZZ”睡眠模式选项

数据手册PDF