CY7C1327A-133ACT
CY7C1327A-133ACT
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- 商品型号
- CY7C1327A-133ACT
- 商品编号
- C2955612
- 商品封装
- LQFP-100(14x20)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 4Mbit | |
| 工作电压 | 3.135V~3.6V | |
| 读写时间 | 4ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 工作电流 | 225mA | |
| 待机电流 | 40mA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
CY7C1327G SRAM将256K x 18 SRAM单元与先进的同步外围电路和用于内部突发操作的两位计数器集成在一起。所有同步输入由正边沿触发的时钟输入(CLK)控制的寄存器选通。同步输入包括所有地址、所有数据输入、地址流水线片选(CE1上划线)、深度扩展片选(CE2上划线和CE3上划线)、突发控制输入(ADSC、ADSP和ADV)、写使能(BW[A:B]上划线和BWE)以及全局写(GW)。异步输入包括输出使能(OE)和ZZ引脚。地址和片选在地址选通处理器(ADSP)或地址选通控制器(ADSC)激活时在时钟上升沿寄存。后续突发地址可由推进引脚(ADV)控制在内部生成。地址、数据输入和写控制在片上寄存以启动自定时写周期。该器件支持字节写操作。CY7C1327G采用+3.3V核心电源供电,所有输出也可采用+3.3V或+2.5V电源供电。所有输入和输出均符合JEDEC标准JESD8 - 5。
商品特性
- 用于流水线操作的寄存输入和输出
- 256K × 18 共用输入/输出架构
- 3.3V 核心电源
- 2.5V 输入/输出电源
- 快速时钟到输出时间 — 2.6 ns
- 提供高性能的 3-1-1 访问速率
- 用户可选的突发计数器支持交错或线性突发序列
- 独立的处理器和控制器地址选通
- 同步自定时写入
- 异步输出使能
- 提供无铅 100 引脚 TQFP 封装,以及无铅和非无铅 119 球 BGA 封装
- “ZZ”睡眠模式选项
- 所有同步输入通过由时钟上升沿控制的输入寄存器
- 所有数据输出通过由时钟上升沿控制的输出寄存器
- 支持采用线性或交错突发序列的系统的二级缓存
- 交错突发顺序支持相关处理器
- 线性突发序列适用于采用线性突发序列的处理器
- 突发顺序用户可选,通过对模式输入采样确定
- 访问可由处理器地址选通或控制器地址选通启动
- 通过突发序列的地址推进由ADV输入控制
- 一个两位的片上回绕突发计数器捕获突发序列中的首个地址,并自动递增后续突发访问的地址
- 字节写入操作由字节写入使能和字节写入选择输入限定
- 全局写入使能覆盖所有字节写入输入并将数据写入所有字节
- 所有写入均通过片上同步自定时写入电路简化
- 三个同步片选和一个异步输出使能便于存储体选择和输出三态控制
应用领域
- 系统二级缓存
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