CY7C1329G-166AC
CY7C1329G-166AC
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- 商品型号
- CY7C1329G-166AC
- 商品编号
- C2955603
- 商品封装
- LQFP-100(14x20)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 2Mbit | |
| 工作电压 | 3.135V~3.6V | |
| 读写时间 | 3.5ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 工作电流 | 240mA | |
| 待机电流 | 40mA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
CY7C1329G SRAM将65,536 x 32 SRAM单元与先进的同步外围电路和用于内部突发操作的两位计数器集成在一起。所有同步输入由正边沿触发的时钟输入(CLK)控制的寄存器选通。同步输入包括所有地址、所有数据输入、地址流水线片选(CE1上划线)、深度扩展片选(CE2和CE3上划线)、突发控制输入(ADSC、ADSP和ADV)、写使能(BW[A:D]上划线和BWE)以及全局写(GW)。异步输入包括输出使能(OE)和ZZ引脚。地址和片选在地址选通处理器(ADSP)或地址选通控制器(ADSC)激活时,在时钟上升沿进行寄存。后续的突发地址可由前进引脚(ADV)控制在内部生成。地址、数据输入和写控制在片上寄存以启动自定时写周期。该器件支持字节写操作。CY7C1329G采用+3.3V核心电源供电,所有输出采用+2.5V电源供电。所有输入和输出均符合JEDEC标准JESD8 - 5。
商品特性
- 用于流水线操作的寄存输入和输出
- 64K × 32 共用输入/输出架构
- 3.3伏核心电源供电
- 2.5伏输入/输出操作
- 快速时钟到输出时间:3.5纳秒(适用于166兆赫兹器件);4.0纳秒(适用于133兆赫兹器件)
- 提供高性能的3-1-1访问速率
- 用户可选突发计数器,支持交错或线性突发序列
- 独立的处理器和控制器地址选通
- 同步自定时写入
- 异步输出使能
- 采用JEDEC标准100引脚TQFP封装
- “ZZ”睡眠模式选项
应用领域
- 系统二级缓存
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